![7A 650V N-Kanal スーパージャンクション パワー MOSFET Dhfsj7n65 a-220f](/uploads/s/7a5ef2860c7e4a0cb6270f92d76dd5db.webp)
7A 650V N-Kanal スーパージャンクション パワー MOSFET Dhfsj7n65 a-220f
7A 650V N-Kanal スーパージャンクション パワー MOSFET Dhfsj7n65 a-220f
お問い合わせを送信してください説明
基礎情報
モデル番号。 | DHFSJ7N65 |
製造技術 | 目立たないデバイス |
材料 | 金属酸化物半導体 |
タイプ | N型半導体 |
パッケージ | ビス-220f |
応用 | 電源 |
モデル | Dhfsj7n65 |
バッチ番号 | 2021年 |
マルケ | bxdh |
輸送パッケージ | ロール |
商標 | WXDH |
起源 | 無錫、中国 |
HSコード | 8541290000 |
製品説明
パラメータ | シンボル | ウェルト | ユニット | ||
DHSJ7N65/DHISJ7N65/DHESJ7N65/DHBSJ7N65/DHDSJ7N65 | DHFSJ7N65 | ||||
ドライヤーと電源間の電圧 | VDSS | 650 | V | ||
ゲート・ソース間電圧 | VGSS | ±30 | V | ||
流出ストリーム(連続) | 私D(T=25℃) | 7 | あ | ||
(T=100℃) | 4.5 | あ | |||
流出流量(パルス状) | 私DM | 21 | あ | ||
シングルパルスアバランシェエネルギー | Eもし | 162 | mJ | ||
総電力損失 | Ta=25℃ | ポイント | 2 | 2 | W |
温度 = 25 °C | ポイント | 68 | 28 | W | |
スポット温度 | TJ | -55~150 | C | ||
保管温度 | Tstg | -55~150 | C |
特徴 |
低いスイッチング損失 |
低いオン抵抗 |
低いゲート電荷 |
再送信能力が低い |
100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 |
100%VDSチェック |
アプリケーション |
パワースイッチングアプリケーション |
スイッチング電源 (SMPS)。 |
無停電電源装置 (UPS)。 |
製品仕様と梱包形態 | |||||
製品モデル | パッケージ型式 | 名前を強調表示する | RoHS | パッケージ | 群衆 |
DHSJ7N65 | TO-220 | DHSJ7N65 | ブリーフレイ | ロール | 1000/カートン |
DHFSJ7N65 | TO-220F | DHFSJ7N65 | |||