製品

説明

基礎情報

モデル番号。	GC11N65K
材料	ケイ素
VDSS	650V
ID	11A
RDS	360さん
PD	78W
パッケージ	ビス-220
共有	在庫あり
調査	利用可能
ブライフライステータス	ブリーフレイ
スプレッド	2500個/ロール
輸送パッケージ	ロール
商標	快適
起源	中国
HSコード	8541290000

製品説明

高電圧スーパージャンクション MOSFET トランジスタ GC11N65K 650V 11A

効率: 軽負荷時の全負荷効率が高く、Rdson と Qg が極めて低く、損失を効果的に低減します。 低い温度上昇: 消費電力が低くなり、電源全体の動作温度が効果的に低下し、電源の耐用年数が長くなります。 高い安定性: 平面製造プロセス、SJ MOS 溝プロセスと比較して強力な EAS 能力により、感電に対するより効果的な保護が提供され、高温安定性が大幅に向上します。 EMI性能の向上。

商品番号	GC11N65k
VDSS	650V
ID	11A
RDS	vgs=10V より 360mΩ
Vth	2.5～4V
パッケージ	TO-220
シス	901pF
クルス	5.5pF

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