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トランジスタ IC パッケージ DFN メーカー G48n03D3 30V 48A 急速充電器用
メーカー Mosfet G48N03D3 急速充電器用トランジスタ IC 30V 48A DFN パッケージ 概要 G48N03D3 は高度なトレンチ技術を採用し、優れた RDS(ON) と低ゲート電荷を提供します。
お問い合わせを送信してください説明
基礎情報
モデル番号。 | G48N03D3 |
輸送パッケージ | 段ボール |
仕様 | DFNパッケージ |
商標 | 快適 |
起源 | 中国 |
HSコード | 8541290000 |
製品説明
MOSFET メーカー G48N03D3 30V 48A DFN パッケージ IC トランジスタ急速充電器用概要 G48N03D3 は高度なトレンチ技術を利用して、優れた RDS(ON) と低いゲート負荷を提供します。 さまざまな用途に使用できます。
一般的な特性
一般的な機能VDS 30V ID (VGS = 10V の場合) 48A RDS(ON) (VGS = 4.5V の場合)<8mΩ 100 % Lawinentest RoHS-konform
よろしければ:
https://gofordsemi.en.made-in-china.com/product/avPxNlXrEOUF/China-Goford-G15n10c-100V-15A-to-252-Mosfet-Transistor-for-Remote-Control-LED-Dimmer.html
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