製品

説明

基礎情報

モデル番号。	G30N03D3
リードタイム	4～6週間
輸送パッケージ	段ボール
仕様	DFNパッケージ
商標	快適
起源	中国
HSコード	8541290000

製品説明

急速充電用 N チャネル MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN パッケージ トランジスタ
概要 G30N03D3 は高度なトレンチ技術を利用して、優れた RDS(ON) と低いゲート負荷を提供します。 さまざまな用途に使用できます。

一般的な特性
一般的な機能VDS 30 V ID (VGS = 10 V の場合) 30 A RDS (ON) (VGS = 4.5 V の場合)<12 mΩ 100 % Lawinentest RoHS-konform

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主要顧客

私たちの工場私たちの会社

Goford Semiconductor は 1995 年の設立以来、米国、香港、オーストラリア、深セン、江蘇にオフィスを構えるグローバル企業に成長しました。 当社は常にパワーMOSFET製品の研究開発と販売に専念してきました。 当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性に重​​点を置き、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。

当社の製品アプリケーションは、電子タバコ、Apple データライン、LED 調光、モバイル電源、USB プラグなどです。当社は製品に対して包括的な技術サポートを提供します。 販売量が多いため、品質と価格の両面で優れた競争力を確保できます。

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2. 返金は商品到着後3営業日以内とさせていただきます。

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カスタマーサービス: GOFORD はすべてのお客様に包括的なカスタマーサービスを提供します。

包括的な技術サポート: GOFORD のエンジニアは、技術的な問題に関して常に喜んですべてのお客様とコミュニケーションをとります。

品質保証：GOFORDは量産製品がサンプルに一致することを約束し、お客様に2年間の保証を提供します。 製品に明らかに欠陥がある場合、交換を保証します。 ただし、顧客のエンジニアは大量注文の前に完全なテストを行う必要があります。 GOFORD は、アプリケーションでの過度の使用については責任を負いません。