製品

カテゴリー

ディスクリート半導体製品

トランジスタ – FET、MOSFET – 個別

メーカー

インフィニオン テクノロジーズ

シリーズ

HEXFET®

パッケージ

ロール

部品の状態

時代遅れ

太字

Nチャンネル

テクノロジー

MOSFET (メタロキシド)

ドレイン・ソース間電圧(Vdss)

40V

電流 – 25℃での連続ドレイン (Id)

42A(Tc)

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.5ミリオーム（42A、10V）

Vgs(th) (最大) @ ID

250μAで4V

ゲート-ラドゥン (Qg) (最大) @ Vgs

10Vで89nC

Vgs (最大)

±20V

Vds での入力容量 (Ciss) (最大)

25 V で 2950 pF

太字関数

-

電力損失（最大）

140W(Tc)

動作温度

-55℃～175℃(TJ)

留め具の種類

表面実装

サプライヤーのデバイス パッケージ

Dパック

パッケージ/スーツケース

TO-252-3、DPak（2行+タブ）、SC-63