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Jun 17, 2023

高電子移動度トランジスタ（HEMT）の世界市場規模は2032年までに168億2000万米ドルを超える

La dimensione del mercato globale dei transistor ad alta mobilità elettronica è stata valutata a $ 7,51

Spherical Insights & Consultingが発行した調査レポートによると、世界の高電子移動度トランジスタ市場規模は2022年に75億1000万米ドルと評価され、世界の高電子移動度トランジスタ市場は2032年までに168億2000万米ドルに達すると予想されています。 対象企業: Ampleon、三菱電機、富士通、東芝、Infineon、ルネサス エレクトロニクス、Cree、Qorvo、Microsemi、Wolfspeed、Lake Shore Cryotronics、ST Microelectronics、Texas Instruments、沖電気など。

アメリカ合衆国、ニューヨーク、2023 年 6 月 1 日 (グローブ ニュースワイヤー) --世界の高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場規模は、2022 年の 75 億 1,000 万米ドルから 2032 年までに 168 億 2,000 万米ドルまで、予測期間中の年間平均成長率 (CAGR) 8.4% で成長すると予想されています。 家庭用電化製品、自動車、産業、航空宇宙・防衛などを含むいくつかの業界で高信頼性と高効率を目的としたパワー半導体の採用が増加しており、予測期間中に高電子移動度トランジスタ市場の需要が高まると予想されます。

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高電子移動度トランジスタ (HEMT) は、マイクロ波周波数で極めて低いノイズ比と高レベルの効率を備えた電界効果トランジスタ (FET) の一種です。 アルミニウム ガリウム ヒ素 (AlGaAs) とガリウム ヒ素 (GaAs) は、高電子移動度トランジスタの製造に最もよく使用される材料の 2 つです。 ミリ波周波数で動作できる高電子移動度トランジスタは、携帯電話、衛星テレビ受信機、電力変換装置、レーダー検出システムなどの高周波デバイスに使用されています。 家庭用電化製品に対する消費者の需要の増加と、コスト効率の高い電源システムに対する需要の増加は、高電子移動度トランジスタ市場の上昇を促進する主な傾向の1つです。 高電子移動度トランジスタは、世界中のほとんどの半導体デバイス メーカーによって製造されています。 それらは個別のトランジスタである場合もありますが、今日では集積回路で最も一般的に見られます。 さらに、世界の高電子移動度トランジスタ市場の成長につながる重要な推進力は、HEMTデバイスの支出の増加、成長と開発、高電子移動度トランジスタ分野の技術進歩です。

レポートの 120 の市場データ表、図、チャートを含む 200 ページにわたる主要な業界の洞察を参照します。「世界の高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場規模、シェア、および新型コロナウイルス感染症の影響分析、タイプ別（窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、ガリウムヒ素（GaAs）、その他）、エンドユーザー別（家庭用電化製品、自動車、産業、航空宇宙および防衛、その他）および地域別（北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東、アフリカ）の 2022 ～ 2032 年の分析と予測。レポートの詳細な説明はここから入手できます:

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窒化ガリウム (GaN) セグメントは、予測期間を通じて最大の収益シェアを獲得し、市場を支配しています。

種類に基づいて、世界の高電子移動度トランジスタ市場は窒化ガリウム (GaN)、炭化ケイ素 (SiC)、ガリウムヒ素 (GaAs)、その他に分類されます。 このうち、窒化ガリウム (GaN) セグメントは、予測期間中に 48.6% という最大の収益シェアを獲得し、市場を支配しています。 シリコン (SI) やガリウム砒素 (GaAs) などの従来の技術とは対照的に、今日最も魅力的な HEMT デバイスは、高品質、高出力密度、および広範囲の伝送を実現する材料である窒化ガリウム (GaN) に依存しています。

家庭用電化製品部門は、予測期間中に 36.2% 以上の最大の収益シェアを占めました。

最終用途に基づいて、世界の高電子移動度トランジスタ市場は、家庭用電化製品、自動車、産業、航空宇宙および防衛などに分割されています。 これらの中で、家庭用電化製品部門が市場を支配しており、予測期間中に最大の収益シェア 36.2% を占めています。 高電子移動度トランジスタ半導体は、高周波、低ノイズ、広帯域用途に優れているため、家庭用電化製品に採用されています。 HEMT は、信号の増幅、発振、生成に最適なデバイスです。

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北米は、予測期間にわたって高電子移動度トランジスタ市場で圧倒的な市場シェアを占めています。

北米は、予測期間にわたって高電子移動度トランジスタ市場の 38.7% 以上を支配しています。 この市場の優位性は、家庭用電化製品、航空機、自動車などの産業での幅広い使用に起因すると考えられます。 逆に、アジア太平洋地域は予測期間中に最も急速に成長すると予測されています。

競合分析:

このレポートは、主に製品提供、事業概要、地理的プレゼンス、企業戦略、セグメント市場シェア、SWOT分析に基づいた比較評価とともに、世界市場に関与する主要な組織/企業の適切な分析を提供します。 このレポートはまた、製品開発、イノベーション、合弁事業、パートナーシップ、合併・買収、戦略的提携などを含む、企業の現在のニュースと開発に焦点を当てた詳細な分析も提供します。 これにより、市場内の全体的な競争を評価することができます。 世界の高電子移動度トランジスタ（HEMT）市場の主要ベンダーには、Ampleon、三菱電機、富士通、東芝、インフィニオン、ルネサス エレクトロニクス、Cree、Qorvo、Microsemi、Wolfspeed、Lake Shore Cryotronics、ST Microelectronics、Texas Instruments、沖電気、およびとりわけ。

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最近の動向

2023年5月、ロームセミコンダクターは、650V GaN（窒化ガリウム）HEMT「GNP1070TC-Z」および「GNP1150TCA-Z」の量産を発表した。 これらのデバイスは、電源システムのさまざまな用途に合わせて調整されています。 Delta Electronics, Inc. と GaN デバイスを製造する子会社 Ancora Semiconductors, Inc. は協力して、これらの革新的な製品を開発しました。 脱炭素文明の構築には、世界の電力の大部分を消費する電源やモーターの効率を上げることが大きな障害となっている。 電源効率を高めるためには、GaNやSiCといった新材料の採用が不可欠です。

2021 年 6 月、ST マイクロエレクトロニクスは、ST Intelligent and Integrated GaN の略である STi2GaN と呼ばれる新しいシリーズの GaN 部品を発表しました。 耐久性と信頼性を保証するために、部品には ST のボンドワイヤを使用しないパッケージング技術が使用されています。 新しい製品シリーズは、GaN の優れた電力密度と効率を利用して、100 V および 650 V の高電子移動度トランジスタ (HEMT) デバイスを提供することを目指しています。

市場セグメント

この調査は、2020年から2032年までの世界、地域、および国レベルでの収益を予測します。Spherical Insightsは、以下のセグメントに基づいて世界の高電子移動度トランジスタ市場を分割しました。

高電子移動度トランジスタ市場、タイプ分析

窒化ガリウム (GaN)

炭化ケイ素(SiC)

ガリウムヒ素 (GaAs)

その他

高電子移動度トランジスタ市場、エンドユーザー分析

家電

自動車

産業用

航空宇宙と防衛

その他

高電子移動度トランジスタ市場、地域分析

北米

私たち

カナダ

メキシコ

ヨーロッパ

ドイツ

イギリス

フランス

イタリア

スペイン

ロシア

ヨーロッパの残りの部分

アジア太平洋地域

中国

日本

インド

韓国

オーストラリア

残りのアジア太平洋地域

南アメリカ

ブラジル

アルゼンチン

南アメリカの残りの地域

中東とアフリカ

アラブ首長国連邦

サウジアラビア

カタール

南アフリカ

残りの中東とアフリカ

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