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100A 30V Nチャンネル昇圧モードパワーMOSFET 30h10K~-252b
100A 30V N チャネル エンハンスド モード パワー MOSFET 1 の概要 これらの N チャネル エンハンスド VDMOSFET は、高度なトレンチ技術設計を使用して、優れた RDSON と低いゲート電荷を提供します。
お問い合わせを送信してください説明
基礎情報
| モデル番号。 | 30時10分 |
| バッチ番号 | 2021年 |
| マルケ | bxdh |
| 輸送パッケージ | バンド、ロール |
| 商標 | WXDH |
| 起源 | 無錫、中国 |
| HSコード | 8541290000 |
製品説明
100A 30V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらのNチャネル強化VDMOSFETが使用されています
高度なトレンチ技術設計、優れた提供
RDSON と低いゲート電荷。 それに同意するのは
RoHS規格。
| 特徴 |
| 高速スイッチング |
| 低いオン抵抗（Rdson ≤ 0.55 mΩ） |
| 低ゲート電荷 (タイプ: 43 nC) |
| 低い再伝送容量 (タイプ: 215 pF) |
| 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 |
| 100%VDSチェック |
| アプリケーション |
| パワースイッチングアプリケーション |
| インバータ管理システム |
| 電動工具 |
| カーエレクトロニクス |
| パラメータ | シンボル | ウェルト | ユニット | ||
| 30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B | 30時10分 | ||||
| Drian 電源の最大 DC 電圧 | VDS | 30 | V | ||
| 最大ゲート・ドレイン電圧 | VGS | ±20 | V | ||
| 流出ストリーム（連続） | 私D(T=25℃) | 100 | あ | ||
| (T=100℃) | 70 | あ | |||
| 流出流量（パルス状） | 私DM | 280 | あ | ||
| シングルパルスアバランシェエネルギー | Eもし | 200 | mJ | ||
| 総電力損失 | Ta=25℃ | ポイント | 2 | 2 | W |
| 温度 = 25 °C | ポイント | 60 | 24 | W | |
| スポット温度 | TJ | -55～150 | C | ||
| 保管温度 | Tstg | -55～150 | C | ||
| 製品仕様と梱包形態 | |||||
| 製品モデル | パッケージ型式 | 名前を強調表示する | RoHS | パッケージ | 群衆 |
| 30時10分 | TO-220C | 30時10分 | ブリーフレイ | ロール | 1000/カートン |
| 30時10分 | TO-220F | 30時10分 | ブリーフレイ | ||
