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エンハンスメントモードでの 20n06 60V 25A 電界効果トランジスタの MOSFET スイッチングアプリケーション
概要 製品の説明 エンハンスメント モード電界効果トランジスタ 20N06 60V 25A Mosfet スイッチング アプリケーション データシート ご興味があるかもしれません 製品情報の詳細については、お問い合わせください。
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基礎情報
| モデル番号。 | 20N06 |
| 材料 | ケイ素 |
| VDSS | 60V |
| ID | 25A |
| RDS | 18ヘル |
| PD | 50W |
| パッケージ | ビス-252 |
| 共有 | 在庫あり |
| 調査 | 利用可能 |
| ブライフライステータス | ブリーフレイ |
| スプレッド | 2500個/ロール |
| 輸送パッケージ | 段ボール |
| 商標 | 快適 |
| 起源 | 中国 |
| HSコード | 8541290000 |
製品説明
エンハンスメントモード電界効果トランジスタ 20N06 60V 25A MOSFET スイッチングアプリケーション
| 商品番号 | 20N06 |
| VDSS | 60V |
| ID | 25A |
| RDS | vgs=10Vより18mΩ |
| Vth | 1～3V |
| パッケージ | TO-252 |
| シス | 1890pF |
| クルス | 132pF |
梱包と配送
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当社はMOSFET製品の専門研究開発メーカーです。 GOFORD SEMICONDUCTOR は、米国、香港、オーストラリア、深セン、江蘇にオフィスを構えるグローバル企業に成長しました。
また、当社は中国および海外の大規模製造工場と長期にわたる良好な関係を確立しています。 当社の強みは、研究開発、製造工場との良好な関係、優れたマーケティングスキルにあります。 当社は製品に対して強力な技術サポートを提供します。 販売量が多いため、品質と価格の両面で優れた競争力を確保できます。 私たちは世界中の友人たちと協力したいと考えています。
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